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一文了解场效应三极管型号规则及参数含义

发表时间:2024-04-23
来源:网络整理
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我们已经了解场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中,应用最为广泛的是MOS场效应管,简称MOS管(即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET)此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管,以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。

 


场效应三极管的型号命名方法

场效应管这么多分类,这么多型号,我们怎么区分这些产品呢?金誉半导体带大家从命名规则角度切入,了解其中奥妙。

场效应三极管管现行有两种命名方法。第一种命名方法,型号的第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料,D是P型硅,反型层是N沟道C是N型硅P沟道。例如3DJ6D是结型N沟道场效应三极管,3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

  第二种命名方法是CS××#,CS代表场效应管,××以数字代表型号的序号,#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。

  场效应管的参数

  另外我们在了解产品的时候,产品参数也极为重要,场效应管的参数很多,包括直流参数、交流参数和极限参数,但一般使用时关注以下主要参数:

  1、IDSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压U GS=0时的漏源电流。

  2、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。

  3、UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。

  4、gM — 跨导。是表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D的控制能力,即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。

  5、BUDS — 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

  6、PDSM — 最大耗散功率。也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

  7、IDSM — 最大漏源电流。是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM

这些都是比较简浅易懂的了解方式,但如果要深入了解产品,还得从功能,使用方式和场景等方面入手,想持续了解可以关注金誉半导体噢。